SK 海力士考慮英特爾作為下一代 HBM 基底芯片供應商

據 Citrini 分析師 Jukan 爆料，SK 海力士正著手多元化高帶寬存儲器（HBM）所用基底芯片的代工廠供應商，這些 HBM 是通過垂直堆疊多個存儲芯片構建而成的。據悉，該公司正考慮將第七代 HBM 即 HBM4E 的部分基底芯片生產外包給英特爾代工廠。到目前為止，SK 海力士一直完全依賴臺積電進行外包基底芯片生產。此舉被視為建立多供應商代工策略的努力，以減少供應鏈對臺積電的集中度，同時增強 SK 海力士在定價方面的議價能力。根據行業消息人士 8 月 31 日的說法，SK 海力士正在推進一項計劃，即 HBM4E 的基底芯片可能由臺積電和英特爾共同製造，最早可能從 HBM4E 世代開始。由於市場預計 HBM4E 的基底芯片成本負擔將進一步增加。由於 HBM 產品主要受長期供應協議（LTA）覆蓋，SK 海力士也難以立即通過提高產品價格將更高的代工成本轉嫁給客戶。因此，行業觀察人士認為，如果英特爾最終加入 SK 海力士的基底芯片供應鏈，該公司將在成本競爭力和供應穩定性方面獲得更多選擇。