韩国 DRAM 8 月出口价格同比暴涨 401%，海力士称明年或为内存最短缺年份

韩国 DRAM 出口价格持续飙升，AI 驱动的 HBM 生产正在挤压普通内存供应。数据显示，本月 1 日至 20 日，韩国 DRAM 出口单价达到每公斤 9.2183 万美元，同比上涨 401%，较 2023 年 1 月低点上涨约 12.5 倍。

高盛预计 DRAM 供应缺口将从今年的 5.0% 扩大至明年的 5.9%，并认为 AI 服务器所需的 HBM 以及大容量服务器 DRAM 正在吸收有限的生产产能，导致普通 DRAM 供应进一步收紧，供应短缺可能持续至 2028 年。TrendForce 预计，到明年底，三星、SK 海力士和美光用于 HBM 生产的晶圆投入量将占 DRAM 总晶圆投入的 30%，但 HBM 占实际 DRAM 比特供应量仅约 13%。内存厂商警告，AI 需求推动的 DRAM 和 NAND 供应紧张可能持续至 2027 年以后。SK 海力士表示，从供应端来看 2027 年可能成为内存行业历史上最严重的短缺年份。

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