韓國 DRAM 8 月出口價格同比暴漲 401%，海力士稱明年或為內存最短缺年份

韓國 DRAM 出口價格持續飆升，AI 驅動的 HBM 生產正在擠壓普通內存供應。數據顯示，本月 1 日至 20 日，韓國 DRAM 出口單價達到每公斤 9.2183 萬美元，同比上漲 401%，較 2023 年 1 月低點上漲約 12.5 倍。

高盛預計 DRAM 供應缺口將從今年的 5.0% 擴大至明年的 5.9%，並認為 AI 服務器所需的 HBM 以及大容量服務器 DRAM 正在吸收有限的生產產能，導致普通 DRAM 供應進一步收緊，供應短缺可能持續至 2028 年。TrendForce 預計，到明年底，三星、SK 海力士和美光用於 HBM 生產的晶圓投入量將佔 DRAM 總晶圓投入的 30%，但 HBM 佔實際 DRAM 比特供應量僅約 13%。內存廠商警告，AI 需求推動的 DRAM 和 NAND 供應緊張可能持續至 2027 年以後。SK 海力士表示，從供應端來看 2027 年可能成為內存行業歷史上最嚴重的短缺年份。

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