三星目标 2028 年量产高 NA EUV DRAM

三星电子有限公司正在深化其在先进半导体制造领域的投资，因为人工智能推动了对更强大、更高效、更具成本效益的存储和逻辑芯片的需求。

三星扩大了与阿斯麦控股公司的战略合作伙伴关系，加强了在高数值孔径极紫外光刻及其他先进制造技术方面的合作。

三星加入 12 英寸光掩模计划

三星将加入一项行业倡议，开发 12 英寸光掩模，取代半导体行业使用了几十年的 6 英寸规格。

两家公司预计，更大的掩模与高 NA EUV 相结合，将提高工厂生产率、降低芯片制造成本并消除拼接限制。这一转变可能有助于制造商获取更多高 NA EUV 的优势，并使未来的尖端芯片生产更加经济。

三星计划与阿斯麦及其他行业合作伙伴共同开发必要的掩模技术和配套基础设施。

该公司在存储和代工制造两方面均具备专长，并拥有使用先进 EUV 光刻技术的经验。

另见：

顶级价值股

三星目标 2028 年实现高 NA DRAM 量产

三星还计划在 2028 年前将阿斯麦的高 NA EUV 技术引入 DRAM 的大规模量产，两家公司表示这将标志着该技术在行业内的首次此类部署。

该公司预计高 NA EUV 更高的分辨率将延长 DRAM 的微缩路线图，同时简化制造流程并提高效率。

两家公司还计划在先进存储和新制造方法方面探索进一步合作。

三星电子副董事长兼首席执行官全永铉表示，人工智能正在提升整个半导体供应链中技术创新的重要性。

阿斯麦首席执行官克里斯托夫·富凯称三星是公司最重要的长期创新合作伙伴之一，并表示随着人工智能重塑半导体需求，更紧密的合作将变得越来越重要。

阿斯麦股价走势：阿斯麦控股股价周二盘前交易中上涨 2.95%，报 1765.50 美元。