三星目標 2028 年量產高 NA EUV DRAM

三星電子有限公司正在深化其在先進半導體制造領域的投資，因為人工智能推動了對更強大、更高效、更具成本效益的存儲和邏輯芯片的需求。

三星擴大了與阿斯麥控股公司的戰略合作伙伴關係，加強了在高數值孔徑極紫外光刻及其他先進製造技術方面的合作。

三星加入 12 英寸光掩模計劃

三星將加入一項行業倡議，開發 12 英寸光掩模，取代半導體行業使用了幾十年的 6 英寸規格。

兩家公司預計，更大的掩模與高 NA EUV 相結合，將提高工廠生產率、降低芯片製造成本並消除拼接限制。這一轉變可能有助於製造商獲取更多高 NA EUV 的優勢，並使未來的尖端芯片生產更加經濟。

三星計劃與阿斯麥及其他行業合作伙伴共同開發必要的掩模技術和配套基礎設施。

該公司在存儲和代工製造兩方面均具備專長，並擁有使用先進 EUV 光刻技術的經驗。

另見：

頂級價值股

三星目標 2028 年實現高 NA DRAM 量產

三星還計劃在 2028 年前將阿斯麥的高 NA EUV 技術引入 DRAM 的大規模量產，兩家公司表示這將標誌著該技術在行業內的首次此類部署。

該公司預計高 NA EUV 更高的分辨率將延長 DRAM 的微縮路線圖，同時簡化製造流程並提高效率。

兩家公司還計劃在先進存儲和新制造方法方面探索進一步合作。

三星電子副董事長兼首席執行官全永鉉表示，人工智能正在提升整個半導體供應鏈中技術創新的重要性。

阿斯麥首席執行官克里斯托夫·富凱稱三星是公司最重要的長期創新合作伙伴之一，並表示隨著人工智能重塑半導體需求，更緊密的合作將變得越來越重要。

阿斯麥股價走勢：阿斯麥控股股價週二盤前交易中上漲 2.95%，報 1765.50 美元。