SemiAnalysis：闪存制造正“由钨转钼”

SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料。三星已于2024年量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。预计钼沉积设备市场2027年销售额超10亿美元。