SemiAnalysis：閃存製造正“由鎢轉鉬”

SemiAnalysis分析，3D NAND閃存堆疊層數突破300層後，鎢字線在電阻、化學兼容性和深孔填充三方面均觸及物理極限，鉬成為強制替代材料。三星已於2024年量產，美光2025年跟進，SK海力士計劃2026年底推出375層鉬工藝產品。預計鉬沉積設備市場2027年銷售額超10億美元。