三星正為英偉達開發 8 層 HBM4E
8 月 31 日，據韓國媒體報道，三星電子正配合英偉達 (NVDA.O) 要求開發 8 層第七代高帶寬存儲器（HBM4E），較原計劃的 12 層、16 層方案顯…
8 月 31 日，據韓國媒體報道，三星電子正配合英偉達 (NVDA.O) 要求開發 8 層第七代高帶寬存儲器（HBM4E），較原計劃的 12 層、16 層方案顯著降低堆疊高度，英偉達提出的速度規格為 17-18Gbps，較三星初期 HBM4E 14.4Gbps 的樣品速度高出約 20%，該產品據報將用於 NVHBM。
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