三星制定“三階段HBM路線圖”：邁向真正的3D ZHBM，將DRAM直接堆疊在計算芯片上
三星在Hot Chips大會上發佈三階段HBM演進路線圖，目標直指將DRAM垂直堆疊於計算芯片之上的“zHBM”架構。三星稱，zHBM相比HBM4E可實現70%…
三星在Hot Chips大會上發佈三階段HBM演進路線圖，目標直指將DRAM垂直堆疊於計算芯片之上的“zHBM”架構。三星稱，zHBM相比HBM4E可實現70%功耗降低、230%帶寬提升，併為GPU額外釋放100W熱功耗餘量。
原文連結: https://wallstreetcn.com/articles/3780121
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